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个人信息

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姓名： 邓婉玲

部门： 信息科学技术学院

直属机构： 电子工程系

性别： 女

职务：

职称： 副教授

学位：

毕业院校：

联系电话：

电子邮箱：

办公地址：

通讯地址：

邮编：

传真：

荣誉奖励：

联系方式

个人简介

学习经历

  • 1999.9-2003.7     华南理工大学  电子科学与技术  本科

  • 2003.9-2008.6     华南理工大学  微电子学与固体电子学 硕博连读研究生   获博士学位


工作经历

  •  2008.7 - 现在     暨南大学 信息科学技术学院 电子工程系   讲师、副教授

  •  2014.7 – 2015.7    美国中佛罗里达大学 电子工程系   访问学者


研究方向


半导体器件模型


招生意向

欢迎对半导体器件的基础理论研究感兴趣的同学报读研究生学位。


主要论文

[1] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, Juin J. Liou, Fei Yu. A compact drain current model for heterostructure HEMTs including 2DEG density solution with two subbands. Solid-State Electronics, 2016，115： 54–59.

[2] Xiaoyu Ma, Junkai Huang, Jielin Fang, Wanling Deng*. A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs. Solid-State Electronics， 2016，126 ：10–13

[3] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, Juin J. Liou. An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(2): 108-110.

[4] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, Tao Ning. An explicit surface-potential-based model for amorphous IGZO thin-film transistors including both tail and deep states. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(1): 78-80.

[5] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiyue Li. Surface-Potential-Based Drain Current Model of Polysilicon TFTs With Gaussian and Exponential DOS Distribution. IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(1): 94-100.

[6] Wanling Deng, Junkai Huang. A Physics-Based Approximation for the Polysilicon Thin-Film Transistors Surface Potential. IEEE Electron Device Letters, 2011,32(5): 647-649.


主要著作

主持国家自然科学基金(青年基金2013-2015)、广东省自然科学基金（2013-2015）、教育部科学技术研究重点项目（2011-2013）等.

承担课题

发明专利

讲授课程

  • 本科课程：《复变函数与积分变换》、《半导体器件基础》

  • 研究生课程：《微电子电路与系统设计原理》


荣誉奖励

社会职务