个人信息

头像

姓名: 马晓玉

部门: 信息科学技术学院

直属机构: 电子工程系

性别:

职务:

职称: 高级实验师

学位:

毕业院校:

联系电话: 020-85222481

电子邮箱: xiaoyuma0819@126.com

办公地址:

通讯地址:

邮编:

传真:

荣誉奖励:

联系方式

个人简介

学习经历

2014至今  暨南大学 信息科学技术学院 计算机应用技术 攻读博士

2004/09 - 2006/06   暨南大学  通信与信息系统专业  硕士

2000/09 - 2004/06  长春大学   计算机科学与技术专业 会计学专业 双学士


工作经历

2007/01 - 2010/12  暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 助理实验师

2011/01 - 2017/09  暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 实验师

2017/10至今        暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 高级实验师


研究方向

智能系统的集成电路与器件,器件模型,数模混合电路

主要论文

[1]  Xiaoyu Ma, Junkai Huang, Jielin Fang, Wanling Deng . A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs. Solid-State Electronics, 2016, 126: 10-13. ( SCI收录 )

[2]  Xiaoyu Ma, Songlin Chen, Wanling Deng, and Junkai Huang. Modeling of I-V characteristics in symmetric double-gate polysilicon thin-film transistors, AIP Advances,2017,6(7) : 065201. ( SCI收录 )

 [3] Ma Xiaoyu, Deng Wanling, Huang Junkai. Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs, Journal of Semiconductors, 2014,35(3): 032002. (EI收录)

[4]  Xiaoyu Ma, Fei Yu, Wanling Deng , Junkai Huang. Physics-based Modeling of Gate-leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. the 23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD ’16). Kyoto, Japan: July 2016:157-159. (EI收录)

[5]  Xiaoyu Ma, Wanling Deng, Junkai Huang. Explicit approximation of surface potential for fully-depleted polysilicon thin-film transistors. International Workshop on Junction Technology (IWJT 2012 ). Shanghai, China: May 2012:164-167.

 [6] 马晓玉,邓婉玲,黄伟英,黄君凯.多维结构实践教学模式在电子信息类专业的实践. 实验室研究与探索.Vol.31,No.8, P364-366. 2012年8月.


主要著作

21. 主要教学改革项目

(1)广东省高等教育学会实验室管理专业委员会 “基于协同育人模式的电子信息类专业学生创新能力培养与探索”,起止年月:2017年1月至2018年7月。

  2)暨南大学教学改革项目:“基于协同模式的电子信息类专业探索与研究”,

       起止年月:2016 年6 月至2017 年5 月。

申 2.申请专利

:1)“基于分级报警的多功能老年人监护仪”

参  3. 参与科研项目

       参与国家自然科学基金两项,青年基金两项

       参与广东省自然科学基金两项

       参与广州市科技计划项目一项

 


承担课题

发明专利

讲授课程

数字电子技术实验,数字电路与系统设计基础实验,电子技术基础实验,电子技术综合实验

荣誉奖励

社会职务